型号 | SI7309DN-T1-GE3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK |
SI7309DN-T1-GE3 PDF | |
代理商 | SI7309DN-T1-GE3 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 115 毫欧 @ 3.9A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 600pF @ 30V |
功率 - 最大 | 19.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? 1212-8 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SI7309DN-T1-GE3-ND SI7309DN-T1-GE3TR |